نشست سالانه فناوری و مدارات VLSI (Symposium on VLSI Technology & Circuits) که از ۱۴ تا ۱۸ ژوئن ۲۰۲۶ (۲۴ تا ۲۸ خرداد ۱۴۰۵) در هونولولو، هاوایی در حال برگزاری است، به عنوان یکی از سه کنفرانس معتبر جهان در حوزه نیمه‌هادی (همراه با IEDM و ISSCC)، میزبان سه تحول بزرگ در صنعت تراشه‌سازی بوده است. سامسونگ با اولین تراشه سه‌بعدی جهان با فاصله ۴۲ نانومتری و کسب عنوان بهترین مقاله، TSMC با معرفی پلتفرم A16 (۱.۶ نانومتری) و اینتل با اعلام تولید ریسک ۱۸A-P، نقشه راه صنعت نیمه‌هادی را برای سال‌های آینده ترسیم کرده‌اند .

به گزارش  آی سی تی نیوز، کنفرانس VLSI Symposium 2026 که با شعار «پیشبرد مرزهای هوش مصنوعی از طریق نوآوری در VLSI» برگزار می‌شود، امسال میزبان بیش از ۱۰۰۰ مقاله از سراسر جهان بوده است. در ادامه به بررسی سه تحول بزرگ این رویداد می‌پردازیم.

 سامسونگ؛ پایان عصر دوبعدی با ۳D Stacked FET

سامسونگ با ارائه مقاله‌ای با عنوان «اولین نمایش ترانزیستورهای انباشته سه‌بعدی با گیت‌پیچ ۴۲ نانومتری» موفق به کسب عنوان بهترین مقاله این دوره از کنفرانس شد .

فناوری جدید: سامسونگ برای اولین بار در جهان، ترانزیستورهای n-type و p-type را که به صورت سنتی در کنار یکدیگر قرار می‌گرفتند، به صورت عمودی روی هم انباشته کرده است . در این ساختار، هر دو ترانزیستور بالایی و پایینی از ۳ لایه نانوشیت (کانال‌های عبور جریان) بهره می‌برند .

دستاورد کلیدی: گیت‌پیچ (فاصله بین مراکز ترانزیستورهای مجاور) به ۴۲ نانومتر کاهش یافته که کوچک‌ترین مقدار گزارش‌شده در صنعت است . با این فناوری، تراکم ترانزیستورها در واحد سطح به صورت تئوری دو برابر می‌شود و بهره‌وری انرژی تا ۲ برابر افزایش می‌یابد . همچنین با جایگزینی اتصال جانبی سنتی با اتصال عمودی مستقیم (RBC)، مساحت اشغالی کاهش یافته است .

بیانیه سامسونگ: یونگ‌چای جئونگ، از محققان ارشد سامسونگ، در این باره گفت: ماهیت این تحقیق، غلبه بر محدودیت‌های کوچک‌سازی افقی از طریق انباشتگی عمودی است. این ساختار نوآورانه به ما امکان می‌دهد تا به طور تئوری، دو برابر ترانزیستور را در همان سطح جای دهیم .

 TSMC؛ گام به سوی آنگستروم با پلتفرم A16

TSMC نیز در این کنفرانس از جدیدترین پلتفرم خود با نام «A16» رونمایی کرد . این فناوری که در دسته تراشه‌های کلاس آنگستروم (Angstrom-class) قرار می‌گیرد، نسل بعد از فرآیند ۲ نانومتری این شرکت محسوب می‌شود .

مشخصات فنی: پلتفرم A16 مجهز به ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) و فناوری جدید Super Power Rail (تأمین برق از پشت تراشه) است . این فناوری نسبت به نسل قبلی (N2P)، ۸ تا ۱۰ درصد سرعت بیشتر در توان مصرفی یکسان، ۱۵ تا ۲۰ درصد کاهش مصرف انرژی در عملکرد یکسان و ۸ تا ۱۰ درصد افزایش چگالی تراشه ارائه می‌دهد .

زمان عرضه: تولید انبوه A16 برای سهماهه چهارم ۲۰۲۶ (پاییز ۱۴۰۵) برنامه‌ریزی شده است و انتظار می‌رود مشتریانی مانند انویدیا (NVIDIA) از این فناوری استفاده کنند .

 اینتل؛ ۱۸A-P در مسیر رقابت با TSMC

اینتل نیز در VLSI 2026 اعلام کرد که نسخه بهبودیافته فرآیند تولید ۱۸A خود با نام «۱۸A-P» وارد مرحله تولید ریسک (Risk Production) شده است .

مشخصات فنی: ۱۸A-P که با معماری RibbonFET (نسخه اختصاصی GAA اینتل) و فناوری PowerVia (تأمین برق از پشت) ساخته شده، نسبت به نسخه پایه ۱۸A، ۹ درصد عملکرد بهتر در توان مصرفی یکسان و ۱۸ درصد کاهش مصرف انرژی در عملکرد یکسان ارائه می‌دهد . همچنین ۵ دستگاه جدید (ترانزیستور با کاربردهای مختلف) به این پلتفرم اضافه شده است .

تاریخ عرضه: پیش‌بینی می‌شود ۱۸A-P در محصولات ۲۰۲۷ اینتل مانند پردازنده سرور Diamond Rapids و جانشین Panther Lake (لپ‌تاپ) استفاده شود .

اهمیت استراتژیک: اینتل با اعلام تولید ریسک ۱۸A-P، گام بلندی برای اثبات توانایی خود در رقابت با TSMC و جذب مشتریان خارجی برداشته است. مایکروسافت قبلاً سفارش تولید تراشه مبتنی بر ۱۸A را به اینتل داده و انویدیا، برودکام و اپل نیز در حال بررسی این فناوری هستند .

تحلیل ICTNews : سه تحول، یک مسیر

سه تحول بزرگ VLSI 2026 نشان می‌دهد که صنعت نیمه‌هادی از «عصر کوچک‌سازی افقی» به «عصر معماری سه‌بعدی و هوشمند» وارد شده است. سامسونگ با ۳D Stacked FET، TSMC با A16 و اینتل با ۱۸A-P هر کدام مسیر خود را برای پاسخ به نیازهای عصر هوش مصنوعی ترسیم کرده‌اند. رقابت در این حوزه نه تنها به نفع مصرف‌کنندگان خواهد بود، بلکه سرعت توسعه فناوری‌های مبتنی بر هوش مصنوعی را نیز افزایش خواهد داد.