یوتیوبر معروف Geekerwan در جدیدترین تست خود نشان داده است که فناوری انقلابی HPB (Heat Path Block) سامسونگ در تراشه اگزینوس ۲۶۰۰، حتی از خنککنندگی خطرناک و گرانقیمت نیتروژن مایع که برای پایین آوردن دمای اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ استفاده شده بود، بهتر عمل میکند . این دستاورد نشاندهنده تحولی اساسی در مدیریت حرارتی پردازندههای موبایل است.
به گزارش آی سی تی نیوز، فناوری HPB (Heat Path Block) سامسونگ به جای چیدن سنتی حافظه DRAM روی پردازنده (روش PoP که باعث انباشت گرما میشود)، حافظه را در کنار پردازنده قرار میدهد و یک هیت سینک مسی مستقیماً روی سطح تراشه قرار میگیرد تا گرما را به سرعت خارج کند .
عملکرد فراتر از انتظار
یوتیوبر Geekerwan در تستهای خود نشان داد که فناوری HPB به قدری مؤثر است که حتی خنککنندگی با نیتروژن مایع (که دمای زیر صفر درجه ایجاد میکند) نتوانسته به پایداری اگزینوس ۲۶۰۰ دست یابد . در تستهای انجام شده:
پایداری بینظیر فرکانس: اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ حتی با خنککننده نیتروژن مایع نتوانست فرکانس تک هستهای خود را ثابت نگه دارد، در حالی که اگزینوس ۲۶۰۰ با خنککننده معمولی عملکرد پایدارتری داشت .
عملکرد خنککنندگی بالا: سامسونگ ادعا میکند که HPB مقاومت حرارتی (Thermal Resistance) را تا ۳۰ درصد و دمای تراشه در بار سنگین را تا حدود ۳۰ درصد کاهش میدهد .
3D TIM و رفع مشکل محدودیت S26+
با وجود عملکرد عالی HPB، تست Geekerwan نشان داد که اگزینوس ۲۶۰۰ در Galaxy S26+ همچنان دچار کاهش فرکانس (Throttling) میشود . دلیل این مشکل، سیستم خنککننده کلی (محفظه بخار) ضعیفتر در مدل پلاس نسبت به مدل اولترا است .
برای حل این مشکل، سامسونگ از 3D TIM (ماده رابط حرارتی سهبعدی سفارشی) استفاده کرده است. این ماده خاص ۳۰ درصد نرمتر از TIM معمولی است و سطح تماس بهتری با پردازنده دارد . به گفته سامسونگ، این فناوری دمای پردازنده را ۱.۱۸ درجه سلسیوس و دمای پشت گوشی را ۰.۷۳ درجه سلسیوس کاهش میدهد .
آینده پیش رو
سامسونگ: نسل بعدی این سری یعنی اگزینوس ۲۷۰۰ احتمالاً از معماری SBS (Side-by-Side) استفاده میکند که هر دو مؤلفه CPU و DRAM را به صورت مجزا خنک میکند .
کوالکام: طبق شایعات، اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو (اولین SoC 2 نانومتری کوالکام) با الهام از HPB سامسونگ، از سیستم خنککننده مشابهی استفاده خواهد کرد .
